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| Artikel-Nr.:
3794E-7003867 Herst.-Nr.:
BAV303-TR EAN/GTIN:
5059040874299 |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gehäusegröße = MicroMELF
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Maximaler Spannungsabfall = 1V
Betriebstemperatur min. = -65 °C
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Länge = 2mm
Breite = 1.2mm
Höhe = 1.2mm
Abmessungen = 1.2 x 2 x 1.2mm
Glaspassivierte Schnellschalter-Kunststoffgleichrichter. Funktionen Superektifier-Struktur für hohe Zuverlässigkeit Glaspassivierte Sperrschicht ohne Hohlraum Schnelles Schalten für hohen Wirkungsgrad Niedriger Leckstrom, typischer IR weniger als 0,2 μA Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit Tauchlöten bei 275 °C für max. 10 s, gemäß JESD 22-B106 Typische Anwendungen: Hochspannungsgleichrichtung von G2-Raster-CRT und TV, Klemmvorrichtung Stromkreis des Kamerablitzes. Mechanische Daten Gehäuse: Do-204AL, geformtes Epoxidharz über Glaskörper Formmasse erfüllt Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0 Sockel P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzielle Ausführung Anschlussklemmen: Matt verzinnte Leitungen, lötbar gemäß J-STD-002 und JESD 22-B102 E3-Suffix erfüllt Whisker-Test JESD 201 Klasse 1A. Polarität: Farbband kennzeichnet Kathodenende Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gehäusegröße: | MicroMELF | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Maximaler Spannungsabfall: | 1V | Betriebstemperatur min.: | -65 °C | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Länge: | 2mm | Breite: | 1.2mm | Höhe: | 1.2mm | Abmessungen: | 1.2 x 2 x 1.2mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7003867, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Vishay, BAV303TR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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