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| Artikel-Nr.:
3794E-7082633 Herst.-Nr.:
ZXMN10A08E6TA EAN/GTIN:
5059043966281 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1.9 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 1.7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 4,2 nC @ 5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1.9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 300 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 1.7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 4,2 nC @ 5 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7082633, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZXMN10A08E6TA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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