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Vishay SI4162DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 mW, 8-Pin SOIC

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Produktinformationen

Vishay SI4162DY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 13.6 A 2500 mW, 8-Pin SOIC

Artikel-Nr.:
3794E-7103323

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI4162DY-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040974869

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13.6 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2500 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	13.6 A
Drain-Source-Spannung max.:	30 V
Gehäusegröße:	SOIC
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	8
Drain-Source-Widerstand max.:	8 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	1V
Verlustleistung max.:	2500 mW
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	20 nC @ 10 V, 8,8 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min.:	-55 °C

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Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 7103323, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4162DYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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