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| Artikel-Nr.:
3794E-7258556 Herst.-Nr.:
PMBT5551,215 EAN/GTIN:
5059043882420 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 300 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 160 V
Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Gleichstromverstärkung min. = 80
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 180 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
NPN-Transistoren mit kleinem Signal Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 300 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 160 V | Gehäusegröße: | SOT-23 (TO-236AB) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 250 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 80 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 180 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 7258556, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PMBT5551,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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