|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-7515269 Herst.-Nr.:
ZVN4525GTA EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 310 mA
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -40 V, +40 V
Länge = 6.7mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 310 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -40 V, +40 V | Länge: | 6.7mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 7515269, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVN4525GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |