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| Artikel-Nr.: 3794E-7527773 Herst.-Nr.: 2N7002H6327XTSA2 EAN/GTIN: 5059043254098 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 300 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V Verlustleistung max. = 500 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Transistor-Werkstoff = Si Betriebstemperatur min. = -55 °C
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 300 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 7527773, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, 2N7002H6327XTSA2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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