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| Artikel-Nr.:
3794E-7528154 Herst.-Nr.:
BSC026N02KSGAUMA1 EAN/GTIN:
5059043809762 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = OptiMOS™ 2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 2,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 40 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2. Die Infineon -OptiMOS™-2 -N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2 -Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | OptiMOS™ 2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 2,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 40 nC @ 4,5 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 7528154, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC026N02KSGAUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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