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| Artikel-Nr.:
3794E-7532816 Herst.-Nr.:
BSP318SH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043799780 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 14 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | SIPMOS® | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 14 nC @ 10 V | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7532816, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP318SH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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