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| Artikel-Nr.:
3794E-7737872 Herst.-Nr.:
NTA4153NT1G EAN/GTIN:
5059042798159 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 915 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SC-75
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -6 V, +6 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.8mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 915 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SC-75 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 9,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -6 V, +6 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7737872, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTA4153NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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