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| Artikel-Nr.:
3794E-7743600 Herst.-Nr.:
MUR1100EG EAN/GTIN:
5059042800500 |
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| Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gehäusegröße = DO-41
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Maximaler Spannungsabfall = 1.75V
Betriebstemperatur min. = -65 °C
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 5.2mm
Abmessungen = 2.7 (Dia.) x 5.2mm
Durchmesser = 2.7mm
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet. Gleichrichterdioden, 1 A bis 1,5 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Gehäusegröße: | DO-41 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Maximaler Spannungsabfall: | 1.75V | Betriebstemperatur min.: | -65 °C | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 5.2mm | Abmessungen: | 2.7 (Dia.) x 5.2mm | Durchmesser: | 2.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7743600, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, onsemi, MUR1100EG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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