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| Artikel-Nr.: 3794E-7800595 Herst.-Nr.: NTHS4101PT1G EAN/GTIN: 5059042395921 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6,7 A Drain-Source-Spannung max. = 20 V Gehäusegröße = ChipFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V Verlustleistung max. = 2,5 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | ChipFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 52 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 7800595, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTHS4101PT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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