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| Artikel-Nr.:
3794E-7800595 Herst.-Nr.:
NTHS4101PT1G EAN/GTIN:
5059042395921 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 6,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = ChipFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | ChipFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 52 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7800595, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTHS4101PT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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