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| Artikel-Nr.: 3794E-7905337 Herst.-Nr.: MJD253T4G EAN/GTIN: 5059042275643 |
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| Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = -4 A Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 12,5 W Gleichstromverstärkung min. = 40 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc Basis-Emitter Spannung max. = 7 V Arbeitsfrequenz max. = 10 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. PNP-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 12,5 W | Gleichstromverstärkung min.: | 40 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V | Arbeitsfrequenz max.: | 10 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 7905337, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD253T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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