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| Artikel-Nr.:
3794E-7920894 Herst.-Nr.:
BSS138BK,215 EAN/GTIN:
5059043535005 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 360 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,6 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.48V
Verlustleistung max. = 420 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 360 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,6 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.6V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.48V | Verlustleistung max.: | 420 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 7920894, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSS138BK,215, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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