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| Artikel-Nr.: 3794E-7982937 Herst.-Nr.: PSMN2R6-40YS,115 EAN/GTIN: 5059043075570 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Gehäusegröße = LFPAK, SOT-669 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 131 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 55 V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | LFPAK, SOT-669 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 131 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 7982937, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PSMN2R640YS,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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