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| Artikel-Nr.:
3794E-8015634 Herst.-Nr.:
PBSS4041PZ,115 EAN/GTIN:
5059043707693 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -5,7 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V
Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2,6 W
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = -60 V
Basis-Emitter Spannung max. = -5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -5,7 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 (SC-73) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2,6 W | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | -60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | -5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 8015634, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS4041PZ,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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