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| Artikel-Nr.: 3794E-8015662 Herst.-Nr.: PHE13009,127 EAN/GTIN: 5059045325666 |
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![](/p.gif) | Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 12 A Kollektor-Emitter-Spannung = 700 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 80 W Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 700 V Arbeitsfrequenz max. = 60 Hz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hochspannungstransistoren, zwischen Halbleitern Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 12 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 700 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 80 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 700 V | Arbeitsfrequenz max.: | 60 Hz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: transistor to-220ab, 8015662, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, WeEn Semiconductors Co., Ltd, PHE13009,127, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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