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| Artikel-Nr.:
3794E-8047599 Herst.-Nr.:
IXFN132N50P3 EAN/GTIN:
5059041489010 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 112 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = HiperFET, Polar3
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,5 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 112 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Serie: | HiperFET, Polar3 | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 39 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 1,5 kW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8047599, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN132N50P3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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