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| Artikel-Nr.:
3794E-8051132 Herst.-Nr.:
2N7002T EAN/GTIN:
5059042486247 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 115 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 13,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 115 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-523 (SC-89) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8051132, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, 2N7002T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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