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| Artikel-Nr.:
3794E-8061750 Herst.-Nr.:
J109 EAN/GTIN:
5059042478099 |
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| Channel-Typ = N
IDS Drain-Source-Abschaltstrom = min. 40mA
Gate-Source Spannung max. = -25 V
Drain-Gate-Spannung max. = 25V
Transistor-Konfiguration = Einfach
Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω
Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-92
Pinanzahl = 3
Drain Gate Kapazität = 85pF
Source Gate Kapazität = 85pF
Abmessungen = 4.58 x 3.86 x 4.58mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
N-Kanal-JFET, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | IDS Drain-Source-Abschaltstrom: | min. 40mA | Gate-Source Spannung max.: | -25 V | Drain-Gate-Spannung max.: | 25V | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 Ω | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-92 | Pinanzahl: | 3 | Drain Gate Kapazität: | 85pF | Source Gate Kapazität: | 85pF | Abmessungen: | 4.58 x 3.86 x 4.58mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8061750, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, JFET, onsemi, J109, Semiconductors, Discrete Semiconductors, JFETs |
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