|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8061766 Herst.-Nr.:
J113 EAN/GTIN:
5059042636895 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
IDS Drain-Source-Abschaltstrom = min. 2mA
Gate-Source Spannung max. = -35 V
Drain-Gate-Spannung max. = 35V
Konfiguration = Single
Drain-Source-Widerstand max. = 100 Ω
Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-92
Pinanzahl = 3
Drain Gate Kapazität = 28pF
Source Gate Kapazität = 28pF
Abmessungen = 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
N-Kanal-JFET, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | IDS Drain-Source-Abschaltstrom: | min. 2mA | Gate-Source Spannung max.: | -35 V | Drain-Gate-Spannung max.: | 35V | Konfiguration: | Single | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 Ω | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-92 | Pinanzahl: | 3 | Drain Gate Kapazität: | 28pF | Source Gate Kapazität: | 28pF | Abmessungen: | 5.2 x 4.19 x 5.33mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8061766, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, JFET, onsemi, J113, Semiconductors, Discrete Semiconductors, JFETs |
| | |
| |