| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-8090871 Herst.-Nr.: FDC855N EAN/GTIN: 5059042652130 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,1 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = PowerTrench Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 1,6 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 39 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, 8090871, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDC855N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |