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| Artikel-Nr.: 3794E-8123120 Herst.-Nr.: SI2343CDS-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040793828 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 4,7 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V Verlustleistung max. = 2,5 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 1.4mm Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 4,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 75 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.4mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 8123120, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2343CDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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