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| Artikel-Nr.:
3794E-8123142 Herst.-Nr.:
SI3433CDV-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040791961 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 3,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | TSOP-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 60 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 3,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8123142, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI3433CDVT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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