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| Artikel-Nr.: 3794E-8141266 Herst.-Nr.: SIHG20N50C-E3 EAN/GTIN: 5059040645554 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 20 A Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = TO-247AC Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 250 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 270 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 8141266, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHG20N50CE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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