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| Artikel-Nr.:
3794E-8141266 Herst.-Nr.:
SIHG20N50C-E3 EAN/GTIN:
5059040645554 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 270 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 250 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 8141266, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHG20N50CE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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