| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-8160642 Herst.-Nr.: PBHV8215Z,115 EAN/GTIN: 5059043086255 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 2 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,45 W Gleichstromverstärkung min. = 100 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 350 V Basis-Emitter Spannung max. = 6 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 3 + Tab Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 6.7 x 3.7 x 1.8mm
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 2 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 150 V | Gehäusegröße: | SOT-223 (SC-73) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,45 W | Gleichstromverstärkung min.: | 100 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 350 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 6.7 x 3.7 x 1.8mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, smd-transistor npn, 8160642, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBHV8215Z,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |