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| Artikel-Nr.:
3794E-8181390 Herst.-Nr.:
SI7288DP-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040746428 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 15,6 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerPAK SO-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 22 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 15,6 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 20a, 8181390, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7288DPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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