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| Artikel-Nr.:
3794E-8193933 Herst.-Nr.:
SQD45P03-12_GE3 EAN/GTIN:
5059040642287 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 37 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = SQ Rugged
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.5V
Verlustleistung max. = 71 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 37 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | SQ Rugged | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 24 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 71 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 8193933, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQD45P0312_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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