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| Artikel-Nr.:
3794E-8269260 Herst.-Nr.:
BSP296NH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043015019 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = OptiMOS™
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
OptiMOS™ Kleinsignal-MOSFETs von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | OptiMOS™ | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 800 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 8269260, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP296NH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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