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| Artikel-Nr.:
3794E-8274672 Herst.-Nr.:
CSD16301Q2 EAN/GTIN:
5059042142921 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 25 V
Serie = NexFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 34 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.55V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.9V
Verlustleistung max. = 2,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 25 V | Serie: | NexFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 34 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.55V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.9V | Verlustleistung max.: | 2,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +10 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8274672, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD16301Q2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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