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| Artikel-Nr.: 3794E-8274903 Herst.-Nr.: CSD19506KCS EAN/GTIN: 5059042164473 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 273 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Serie = NexFET Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.2V Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V Verlustleistung max. = 375 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Höhe = 16.51mm
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 273 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Serie: | NexFET | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 16.51mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 8274903, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD19506KCS, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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