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| Artikel-Nr.:
3794E-8290627 Herst.-Nr.:
PD55015-E EAN/GTIN:
5059042023961 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PowerSO
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 10
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 73 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Leistungsverstärkung = 14 dB
HF-MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics. Die HF-Transistoren sind LDMOS-geeignet für L-Band-Satelliten-Uplinks und DMOS-Leistungstransistoren in Anwendungen von 1 MHz bis 2 GHz. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PowerSO | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 10 | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 73 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Leistungsverstärkung: | 14 dB |
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| Weitere Suchbegriffe: 8290627, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, PD55015E, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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