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| Artikel-Nr.: 3794E-8294436 Herst.-Nr.: STP3N80K5 EAN/GTIN: 5059042020090 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = MDmesh K5, SuperMESH5 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3,5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 60 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Höhe = 15.75mm
N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | MDmesh K5, SuperMESH5 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 60 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 15.75mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 8294436, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP3N80K5, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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