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| Artikel-Nr.:
3794E-8427898 Herst.-Nr.:
NGTB35N65FL2WG EAN/GTIN:
5059042361032 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 300 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.26 x 5.3 x 21.08mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C
IGBT, diskret, ON Semiconductor. Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors, IGBTs) für den Motorantrieb und andere Starkstrom-Schaltanwendungen. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 70 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 300 W | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.26 x 5.3 x 21.08mm | Betriebstemperatur max.: | +175 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 8427898, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NGTB35N65FL2WG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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