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| Artikel-Nr.:
3794E-8624954 Herst.-Nr.:
MJ11012G EAN/GTIN:
5059042646801 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = TO-204AA
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 2
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Gleichstromverstärkung min. = 200
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 5 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 60 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 4 V
Verlustleistung max. = 200 W
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Darlington-Transistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | TO-204AA | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 2 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 5 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 60 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 4 V | Verlustleistung max.: | 200 W |
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| Weitere Suchbegriffe: schalttransistor, onsemi transistor, 8624954, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, onsemi, MJ11012G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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