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| Artikel-Nr.:
3794E-8644816 Herst.-Nr.:
FDMS2672 EAN/GTIN:
5059042653656 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = UltraFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 156 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 78 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Serie: | UltraFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 156 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 78 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 8644816, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS2672, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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