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| Artikel-Nr.:
3794E-8651237 Herst.-Nr.:
FCA47N60 EAN/GTIN:
5059042681123 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 47 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 417 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 47 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 70 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 417 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8651237, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FCA47N60, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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