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| Artikel-Nr.:
3794E-8652182 Herst.-Nr.:
NX3008NBKS,115 EAN/GTIN:
5059043290669 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 350 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 445 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 350 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 445 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8652182, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, NX3008NBKS,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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