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| Artikel-Nr.: 3794E-8655822 Herst.-Nr.: IRFL4315TRPBF EAN/GTIN: 5059043746326 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,6 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Serie = HEXFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 185 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 2,8 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 185 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 2,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet sot-223, 8655822, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFL4315TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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