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| Artikel-Nr.:
3794E-8922166 Herst.-Nr.:
IPI086N10N3GXKSA1 EAN/GTIN:
5059043618609 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Leistungs-MOSFET Infineon OptiMOS™3, 100 V und mehr Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | OptiMOS™ 3 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 15,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8922166, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPI086N10N3GXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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