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Vishay Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 75V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V


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Vishay Schaltdiode Einfach 300mA 1 Element/Chip THT 75V DO-35 2-Pin Siliziumverbindung 1V
Artikel-Nr.:
     3794E-9026610
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     1N914TR
EAN/GTIN:
     5059040792388
Suchbegriffe:
Schaltdiode
schaltdiode
Diodenkonfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Sperrspannung max. = 75V
Gehäusegröße = DO-35
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Pinanzahl = 2
Diodenkapazität max. = 4pF
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Länge = 3.9mm
Abmessungen = 1.7 (Dia.) x 3.9mm
Verlustleistung = 500mW

Glaspassivierte Schnellschalter-Kunststoffgleichrichter. Funktionen Superektifier-Struktur für hohe Zuverlässigkeit Glaspassivierte Sperrschicht ohne Hohlraum Schnelles Schalten für hohen Wirkungsgrad Niedriger Leckstrom, typischer IR weniger als 0,2 μA Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit Tauchlöten bei 275 °C für max. 10 s, gemäß JESD 22-B106 Typische Anwendungen: Hochspannungsgleichrichtung von G2-Raster-CRT und TV, Klemmvorrichtung Stromkreis des Kamerablitzes. Mechanische Daten Gehäuse: Do-204AL, geformtes Epoxidharz über Glaskörper Formmasse erfüllt Entflammbarkeitsklasse UL 94 V-0 Sockel P/N-E3 - RoHS-konform, kommerzielle Ausführung Anschlussklemmen: Matt verzinnte Leitungen, lötbar gemäß J-STD-002 und JESD 22-B102 E3-Suffix erfüllt Whisker-Test JESD 201 Klasse 1A. Polarität: Farbband kennzeichnet Kathodenende
Weitere Informationen:
Diodenkonfiguration:
Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Sperrspannung max.:
75V
Gehäusegröße:
DO-35
Diodentechnologie:
Siliziumverbindung
Pinanzahl:
2
Diodenkapazität max.:
4pF
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Länge:
3.9mm
Abmessungen:
1.7 (Dia.) x 3.9mm
Verlustleistung:
500mW
Weitere Suchbegriffe: 9026610, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, Vishay, 1N914TR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes
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