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| Artikel-Nr.: 3794E-9128318 Herst.-Nr.: BPW 34 S-Z EAN/GTIN: 5059041295529 |
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![](/p.gif) | Erkennbare Spektren = IR Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm Gehäusetyp = Smart-DIL Verstärkerfunktion = Nein Anzahl der Pins = 2 Diodenmaterial = Si Wellenlänge min. = 400nm Wellenlänge max. = 1100nm Fallzeit typ. = 0.02µs Länge = 4.5mm Breite = 3.7mm Höhe über Panel = 1.2mm Kurzschlussstrom = 80µA
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse. Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Erkennbare Spektren: | IR | Wellenlänge der max. Empfindlichkeit: | 850nm | Gehäusetyp: | Smart-DIL | Verstärkerfunktion: | Nein | Anzahl der Pins: | 2 | Diodenmaterial: | Si | Wellenlänge min.: | 400nm | Wellenlänge max.: | 1100nm | Fallzeit typ.: | 0.02µs | Länge: | 4.5mm | Breite: | 3.7mm | Höhe über Panel: | 1.2mm | Kurzschlussstrom: | 80µA |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: osram fotodiode, foto diode, photodiode 850nm, 9128318, Displays und Optoelektronik, Optokoppler und Photodetektoren, Fotodioden, OSRAM Opto Semiconductors, BPW34SZ, Displays & Optoelectronics, Optocouplers & Photodetectors, Photodiodes, ams OSRAM |
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