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| Artikel-Nr.:
3794E-9171491 Herst.-Nr.:
IXTP8N65X2M EAN/GTIN:
5059041369480 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = X2-Class
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 550 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 32 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie X2, IXYS. Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Intrinsic-Gleichrichterdiode Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Niedrige Gehäuseinduktivität Industriestandard-Gehäuse Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | X2-Class | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 550 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 32 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 9171491, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXTP8N65X2M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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