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Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1,2 A 1 W, 3-Pin SOT-23

Menge:

Packung

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
3794E-9190262

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2309CDS-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059040677388

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 345 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	P
Dauer-Drainstrom max.:	1,2 A
Drain-Source-Spannung max.:	60 V
Gehäusegröße:	SOT-23
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	345 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	1V
Verlustleistung max.:	1 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Betriebstemperatur min.:	–55 °C

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 9190262, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2309CDST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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