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Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6,2 A 1,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Produktinformationen

Vishay SI7850DP-T1-E3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 6,2 A 1,8 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Artikel-Nr.:
3794E-9190830

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI7850DP-T1-E3

EAN/GTIN:
5059040908543

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = PowerPAK SO-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 22 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	6,2 A
Drain-Source-Spannung max.:	60 V
Gehäusegröße:	PowerPAK SO-8
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	8
Drain-Source-Widerstand max.:	22 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:	1V
Verlustleistung max.:	1,8 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:	1
Betriebstemperatur min.:	–55 °C

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Weitere Suchbegriffe: 9190830, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI7850DPT1E3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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