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| Artikel-Nr.: 3794E-9208859 Herst.-Nr.: STW12NK80Z EAN/GTIN: 5059042355994 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10,5 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = MDmesh, SuperMESH Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 190 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | MDmesh, SuperMESH | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 750 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 190 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 9208859, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW12NK80Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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