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| Artikel-Nr.:
3794E-9208859 Herst.-Nr.:
STW12NK80Z EAN/GTIN:
5059042355994 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 190 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = MDmesh, SuperMESH
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 750 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 190 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | MDmesh, SuperMESH |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 9208859, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW12NK80Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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