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| Artikel-Nr.: 3794E-9211057 Herst.-Nr.: DMN1260UFA-7B EAN/GTIN: 5059043316710 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 500 mA Drain-Source-Spannung max. = 12 V Gehäusegröße = X2-DFN0806 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V Verlustleistung max. = 360 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | X2-DFN0806 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 360 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 9211057, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN1260UFA7B, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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