|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-9211057 Herst.-Nr.:
DMN1260UFA-7B EAN/GTIN:
5059043316710 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 500 mA
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = X2-DFN0806
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 360 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | X2-DFN0806 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 360 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 9211057, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN1260UFA7B, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |