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| Artikel-Nr.:
3794E-9211105 Herst.-Nr.:
DMN53D0LDW-7 EAN/GTIN:
5059043303369 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 360 mA
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 4,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 310 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 0,6 nC bei 4,5 V
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 360 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 310 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 0,6 nC bei 4,5 V | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 9211105, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN53D0LDW7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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