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| Artikel-Nr.: 3794E-9211167 Herst.-Nr.: DMT6008LFG-7 EAN/GTIN: 5059043321479 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = PowerDI3333-8 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 11,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V Verlustleistung max. = 41 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | PowerDI3333-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 11,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 41 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 9211167, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMT6008LFG7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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