ON Semiconductor Z-Diode BZX79C6V8 Gehäuseart (Halbleiter) DO-35 Zener-Spannung 6.8 V Leistung (max) P(TOT) 500 mW

ON Semiconductor Z-Diode BZX79C6V8 Gehäuseart (Halbleiter) DO-35 Zener-Spannung 6.8 V Leistung (max) P(TOT) 500 mW

Z-Diode

Technische Daten:
Ausführung (Dioden): Zener-Dioden · Betriebstemperatur (max.): +200 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · Durchlassspannung Referenz: 100 mA · Durchlassspannung U(F): 1.5 V · Gehäuseart (Halbleiter): DO-35 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Impedanz (Numeric): 15 Ω · Impedanz Referenz: 5 mA · Konfiguration: einfache Diode · Leistung (max) P(TOT): 500 mW · Montageart: Durchsteckmontage · Rest-Sperrstrom: 2 µA · Zener-Spannung: 6.8 V · Zener-Spannung (max.): 7.2 V · Zener-Spannung (min.): 6.4 V · Zener-Spannung Toleranz: +6 %,-6 %