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| Artikel-Nr.:
3924-1264012-9H Herst.-Nr.:
FDV301N EAN/GTIN:
k.A. |
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| ON Semiconductor FDV301N MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3
MOSFET
Technische Daten:
Abbruchspannung U(BR) (DSS): 25 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 9.5 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 10 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 220 mA · Leistung (max) P(TOT): 350 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 0.7 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on): 4 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 4.5 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 400 mA · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 25 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 1.06 V
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| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, transistor 25v, ON Semiconductor, FDV301N, 121-2748, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor |
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